东芝推出全新采用背面照度技术高灵敏的1.12微米像素cmos图像传感器
7月7日，东芝宣布推出一款全新的1.12微米像素的cmos图像传感器，这是cmos图像传感器产品线系列中的最新一款产品。该产品的像素为业内最小，采用背面照度技术（bsi），灵敏度显著增强、图像性能更好。本月底将开始提供新传感器的样品，2011年底将开始批量生产。
因为智能手机越来越小巧，而图像传感器要不断提供更高的分辨率，目前的像素范围为5m 至8m，所以行业面临的挑战就是要缩小像素的体积，但这将会导致性能的降低。bsi成功攻克了这个难题，并将cmos成像的灵敏性提高到了一个新的水平。bsi 传感器将透镜安装在传感器的后面和硅基上，而不是在传感器的前面。（如果安装在前面，接线会限制光的吸收。）这种配置能增强光的敏感性和吸收性能，而且使得我们能将更好的图像像素配置在体积更小的cmos图像传感器上，也使得其更适合活动图像的应用。
东芝充分利用bsi优势，实现了1.12微米的图像像素，并使得我们能将808万个像素集成在一个1/4英寸的传感器上。令全新传感器的成像和处理能力更强，从而能提高智能手机的图像质量。
全新的cmos图像传感器
东芝希望bsi cmos图像传感器能成为移动数字技术中的主流技术，并希望将应用范围从移动手机和数码照相机领域拓展至智能手机和平板电脑领域中。
cmos图像传感器是东芝模拟和成像系统业务的主打产品。bsi cmos传感器产品线中的最新产品及改良产品将会提高传感器业务的实力，也能提高公司的能力，使得公司能满足市场上提出的缩小产品体积，提高产品清晰度的双重要求。（tels 赵慧）
产品主要特点：
光学格式：1/4 英寸
像素数量：8.08兆像素
像素大小：1.12微米
帧频：30帧/秒（8m像素），60帧/秒（支持1080p、720p）
